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BDW84	文件：155.37 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PRODUCTINFORMATION Informationiscurrentasofpublicationdate.ProductsconformtospecificationsinaccordancewiththetermsofPowerInnovationsstandardwarranty.Productionprocessingdoesnotnecessarilyincludetestingofallparameters. ●DesignedforComplementaryUsewithBDW	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BDW84	文件：148.02 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3PNpackage ?ComplementtotypeBDW83/83A/83B/83C/83D ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain APPLICATIONS ?Foruseinpowerlinearandswitching applications.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BDW84	文件：136.52 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBDW83/83A/83B/83C/83D ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Foruseinpowerlinearandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
BDW84	文件：122.43 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS PNPSILICONDARLINGTONSPOWERTRANSISTORS Theyaresiliconepitaxial-basePNPpowermonolithicDarlingtontransistormountedinJedecTO-3PNplasticpackage. Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryareBDW83,BDW83A,BDW83B,BDW83C,BDW83D Compli	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BDW84	文件：138.81 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?CollectorCurrent-lc=-15A ?HighDCCurrentGain-hFE=750(Min)@lc=-6A ?ComplementtoTypeBDW83/A/B/C APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeed switchingapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BDW84	文件：149.63 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BDW84	文件：121.99 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
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BDW84A	文件：138.81 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?CollectorCurrent-lc=-15A ?HighDCCurrentGain-hFE=750(Min)@lc=-6A ?ComplementtoTypeBDW83/A/B/C APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeed switchingapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
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BDW84B	文件：138.81 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?CollectorCurrent-lc=-15A ?HighDCCurrentGain-hFE=750(Min)@lc=-6A ?ComplementtoTypeBDW83/A/B/C APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeed switchingapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BDW84B	文件：148.02 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3PNpackage ?ComplementtotypeBDW83/83A/83B/83C/83D ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain APPLICATIONS ?Foruseinpowerlinearandswitching applications.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
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BDW84C	文件：67.87 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheBDW83CisaSiliconEpitaxial-BaseNPNpowermonolithicDarlingtontransistormountedinJedecTO-218plasticpackage.Itisintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementarytypeisBDW84C. ■BDW83CISASTMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPE ■COM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
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BDW84C	文件：136.52 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBDW83/83A/83B/83C/83D ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Foruseinpowerlinearandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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晶體管資料

型號：
BDW84
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
45V
最大電流允許值：
15A
最大工作頻率：
>1MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BDV64,BDV66,
最大耗散功率：
150W
放大倍數(shù)：
β>750
圖片代號：
B-62
vtest：
45
htest：
1000100
atest：
15
wtest：
150

詳細參數(shù)

型號：
BDW84
功能描述：
達林頓晶體管 150W 15A PNP
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶體管極性：
NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
50 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
集電極—基極電壓
最大直流電集電極電流：
0.5 A
最大工作溫度：
+ 150 C
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
SOIC-18
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BDW84供應(yīng)商更新時間2024-10-24 16:00:00

晶體管資料

詳細參數(shù)

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