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BDX33B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BDX33B
廠商型號

BDX33B

參數(shù)屬性

BDX33B 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 10A TO220

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

327.73 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Comset Semiconductor
企業(yè)簡稱

COMSET

中文名稱

Comset Semiconductor官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-9 10:34:00

晶體管資料

  • 型號:

    BDX33B

  • 別名:

    BDX33B三極管、BDX33B晶體管、BDX33B晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    >20MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD267A,BD647,BD699,BDT63A,BDT65A,BDW93B,YZ25C,

  • 最大耗散功率:

    70W

  • 放大倍數(shù):

    β>750

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    20000100

  • atest:

    10

  • wtest:

    70

BDX33B規(guī)格書詳情

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

The BDX33B, BDX33B and BDX33C are silicon epitaxial-base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration and are mounted in Jedec TO-220 plastic package.

They are intented for use in power linear and switching applications.

The complementary PNP types are the BDX34A, BDX34B and BDX34C respectively.

Compliance to RoHS.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BDX33B

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 6mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 3A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 10A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
HARRIS
21+
TO-220
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
詢價
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21+
TO-220(TO-220-3)
13880
公司只售原裝,支持實單
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22+
TO-220
34137
只做原裝進口現(xiàn)貨
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TO-220
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23+24
TO-220
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專業(yè)經(jīng)營各種場效應(yīng)管、三極管、IGBT、可控硅、穩(wěn)壓IC
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