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BDX33B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BDX33B
廠商型號

BDX33B

參數(shù)屬性

BDX33B 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 10A TO220

功能描述

DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

166.76 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-23 11:14:00

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晶體管資料

  • 型號:

    BDX33B

  • 別名:

    BDX33B三極管、BDX33B晶體管、BDX33B晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    >20MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD267A,BD647,BD699,BDT63A,BDT65A,BDW93B,YZ25C,

  • 最大耗散功率:

    70W

  • 放大倍數(shù):

    β>750

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    20000100

  • atest:

    10

  • wtest:

    70

BDX33B規(guī)格書詳情

DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

..designed for general-purpose amplifier and low speed switching application*

FEATURES:

* Collector-Emitter Sustaining Voltage

VCEO(sus) = 45 V (Min) - BDX33. BUX34

= 60 V(Min)- BDX33A. BDX34A

= 80V (Min)- BDX33B. BDX34B

= 100 V(Mln) - BDX33C. BOX34C

* Monolithic Construction wtth Built-in Base-Emitter Shunt Resistor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BDX33B

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 6mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 3A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 10A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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