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BDX34B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BDX34B
廠商型號(hào)

BDX34B
參數(shù)屬性

BDX34B 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP DARL 80V 10A TO220
功能描述

Darlington Complementary Silicon Power Transistors
TRANS PNP DARL 80V 10A TO220
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

93.81 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-5 23:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BDX34B

  • 別名：

    BDX34B三極管、BDX34B晶體管、BDX34B晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    80V

  • 最大電流允許值：

    10A

  • 最大工作頻率：

    >20MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD266A,BD648,BD700,BDT62A,BDT64A,BDW94B,FC75B,

  • 最大耗散功率：

    70W

  • 放大倍數(shù)：

    β>750

  • 圖片代號(hào)：

    B-10

  • vtest：

    80

  • htest：

    20000100

  • atest：

    10

  • wtest：

    70

BDX34B規(guī)格書詳情

BDX34B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BDX34B晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BDX34B

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2.5V @ 6mA，3A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    750 @ 3A，3V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 80V 10A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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