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BDX53B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

BDX53B
廠商型號

BDX53B
參數(shù)屬性

BDX53B 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 80V 8A TO220
功能描述

DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 80-100 VOLTS 65 WATTS
TRANS NPN DARL 80V 8A TO220
文件大小

169.96 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載
更新時間

2024-11-18 19:09:00

晶體管資料

  • 型號：

    BDX53B

  • 別名：

    BDX53B三極管、BDX53B晶體管、BDX53B晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    80V

  • 最大電流允許值：

    8A

  • 最大工作頻率：

    20MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD267A,BD647,BD899,BDW73B,BDX33B,

  • 最大耗散功率：

    60W

  • 放大倍數(shù)：

    β>750

  • 圖片代號：

    B-10

  • vtest：

    80

  • htest：

    20000000

  • atest：

    8

  • wtest：

    60

BDX53B規(guī)格書詳情

Plastic Medium?Power

Complementary Silicon

Transistors

BDX53B, BDX53C (NPN), BDX54B, BDX54C (PNP)

DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 80?100 VOLTS, 65 WATTS

These devices are designed for general?purpose amplifier and low?speed switching applications.

Features

? High DC Current Gain ? hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc

? Collector Emitter Sustaining Voltage ? @ 100 mAdc

VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) ? BDX53B, 54B

VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) ? BDX53C, 54C

? Low Collector?Emitter Saturation Voltage ?

VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc

VCE(sat) = 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc

? Monolithic Construction with Built?In Base?Emitter Shunt Resistors

? Pb?Free Packages are Available*

BDX53B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BDX53B晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    BDX53B

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2V @ 12mA，3A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    750 @ 3A，3V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
1738+
TO-220
8529
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三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
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ST意法半導(dǎo)體
24+23+
TO-220
12580
16年現(xiàn)貨庫存供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品
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TO-220-3
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TO-220
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