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BDX53C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BDX53C
廠商型號(hào)

BDX53C
參數(shù)屬性

BDX53C 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 100V 8A TO220-3
功能描述

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220-3
文件大小

87.39 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載
更新時(shí)間

2024-11-18 16:24:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BDX53C

  • 別名：

    BDX53C三極管、BDX53C晶體管、BDX53C晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    8A

  • 最大工作頻率：

    20MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD267B,BD649,BD701,BD901,BDW73C,BDX33C,

  • 最大耗散功率：

    60W

  • 放大倍數(shù)：

    β>750

  • 圖片代號(hào)：

    B-10

  • vtest：

    100

  • htest：

    20000000

  • atest：

    8

  • wtest：

    60

BDX53C規(guī)格書詳情

BDX53C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BDX53C晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BDX53C

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2V @ 12mA，3A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    750 @ 3A，3V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 8A TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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