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BDY27

NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA

NPNSILICONTRANSISTORS,DIFFUSEDMESA LFLargeSignalPowerAmplification HighCurrentFastSwitching

COMSET

Comset Semiconductor

BDY27

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=200V(Min.) ?Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.6V(Max)@IC=2A ?HighSwitchingSpeed APPLICATIONS ?DesignedforLFsignalpoweamplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BDY27

NPN SILICON TRANSISTORS DIFFUSED MESA

[COMSETSEMICONDUCTORS] NPNSILICONTRANSISTORS,DIFFUSEDMESA LFLargeSignalPowerAmplification HighCurrentFastSwitching

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

BDY27

Bipolar NPN Device

SEME-LAB

Seme LAB

BDY27

NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA.

COMSET

Comset Semiconductor

BDY27

Silicon NPN Power Transistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BDY27AS

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

BDY27B

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

BDY27C

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

BDY27CX

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BDY27(A-C)

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    400V

  • 最大電流允許值:

    6A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    BDY98,BU210,BUY22,BUY77,3DK208D,

  • 最大耗散功率:

    85W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    E-44

  • vtest:

    400

  • htest:

    999900

  • atest:

    6

  • wtest:

    85

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    BDY27

  • 制造商:

    SEME-LAB

  • 制造商全稱:

    Seme LAB

  • 功能描述:

    Bipolar NPN Device

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
24+
TO-3
10000
全新
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更多BDY27供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 16:00:00