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BF1009S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BF1009S
廠商型號(hào)

BF1009S

參數(shù)屬性

BF1009S 封裝/外殼為SOT-143R;包裝為帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R

功能描述

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9V Integrated bias network)

封裝外殼

SOT-143R

文件大小

51.89 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

SIEMENS西門(mén)子

中文名稱(chēng)

德國(guó)西門(mén)子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-9 11:30:00

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BF1009S規(guī)格書(shū)詳情

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

? For low noise, high gain controlled

input stages up to 1GHz

? Operating voltage 9V

? Integrated bias network

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BF1009SRE6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類(lèi)型:

    N 通道

  • 頻率:

    800MHz

  • 增益:

    22dB

  • 額定電流(安培):

    25mA

  • 噪聲系數(shù):

    1.4dB

  • 封裝/外殼:

    SOT-143R

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT-143R-3D

  • 描述:

    MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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