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BF1201WR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BF1201WR
廠商型號(hào)

BF1201WR

參數(shù)屬性

BF1201WR 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R

功能描述

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

封裝外殼

SC-82A,SOT-343

文件大小

113.99 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-2 23:00:00

BF1201WR規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1201, BF1201R and BF1201WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic packages respectively.

FEATURES

? Short channel transistor with high

forward transfer admittance to input

capacitance ratio

? Low noise gain controlled amplifier

? Partly internal self-biasing circuit to

ensure good cross-modulation

performance during AGC and good

DC stabilization.

APPLICATIONS

? VHF and UHF applications with

3 to 9 V supply voltage, such as

digital and analogue television

tuners and professional

communications equipment.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BF1201WR,135

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    N 通道雙門

  • 頻率:

    400MHz

  • 增益:

    29dB

  • 額定電流(安培):

    30mA

  • 噪聲系數(shù):

    1dB

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CMPAK-4

  • 描述:

    MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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