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BF1208D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BF1208D
廠商型號(hào)

BF1208D

參數(shù)屬性

BF1208D 封裝/外殼為SOT-563,SOT-666;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH DUAL GATE SOD666

功能描述

RF Manual 16th edition

封裝外殼

SOT-563,SOT-666

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-10 23:00:00

BF1208D規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BF1208D,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    N 通道雙門

  • 頻率:

    400MHz

  • 增益:

    32dB

  • 額定電流(安培):

    30mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.9dB

  • 封裝/外殼:

    SOT-563,SOT-666

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-666

  • 描述:

    MOSFET N-CH DUAL GATE SOD666

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP/恩智浦
23+
NA/
500
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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NXP
2020+
SC70-6
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只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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NXP/恩智浦
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SOT-363
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NXP
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NXP
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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