BF1211分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
BF1211 |
參數(shù)屬性 | BF1211 封裝/外殼為SOT-143R;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R |
功能描述 | RF Manual 16th edition |
封裝外殼 | SOT-143R |
文件大小 |
9.37507 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
130 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-2-4 23:00:00 |
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BF1211規(guī)格書詳情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
BF1211R,215
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
N 通道雙門
- 頻率:
400MHz
- 增益:
29dB
- 額定電流(安培):
30mA
- 噪聲系數(shù):
0.9dB
- 封裝/外殼:
SOT-143R
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-143R
- 描述:
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
23+ |
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詢價(jià) | ||
NXP |
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詢價(jià) | |||
NXP/恩智浦 |
23+ |
sot343 |
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詢價(jià) | ||
NXP |
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NXP |
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SOT343 |
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NXPSemiconductors |
24+ |
215 |
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NXP |
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