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NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ●Forlow-distortionbroadbandoutputamplifier stagesinantennaandtelecommunication systemsupto2GHzatcollectorcurrentsfrom 120mAto250mA ●PoweramplifiersforDECTandPCNsystems ●Integratedemitterballastresistor ●fT=5.5GHz | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconRFTransistor(Forlow-distortionbroadbandoutputamplifierstagesinantennaandtelecommunications) NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-distortionbroadbandoutputamplifier stagesinantennaandtelecommunications systemsupto2GHzatcollectorcurrentsfrom 120mAto250mA ?PoweramplifiersforDECTandPCNsystems ?Integratedemitterballastresistor ?fT=5.5GHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
NPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNvideotransistor DESCRIPTION NPNvideotransistorinaSOT128B(TO-202)plasticpackage. PNPcomplement:BFQ255A. FEATURES ?Highbreakdownvoltages ?Lowoutputcapacitance ?Highgainbandwidth ?Goodthermalstability ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS ?CRTamplifierbuf | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
NPNvideotransistor DESCRIPTION NPNvideotransistorinaSOT128B(TO-202)plasticpackage. PNPcomplement:BFQ255A. FEATURES ?Highbreakdownvoltages ?Lowoutputcapacitance ?Highgainbandwidth ?Goodthermalstability ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS ?CRTamplifierbuf | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL | ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亞當(dāng)科技亞當(dāng)科技股份有限公司 | ADAM-TECH | ||
OptiMOS??2OptiMOS??P2SmallSignalTransistor Features ?ComplementaryP+Nchannel ?Enhancementmode ?SuperLogiclevel(2.5Vrated) ?Avalancherated ?QualifiedaccordingtoAECQ101 ?100lead-free;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS??2OptiMOS??P2SmallSignalTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Single-channelisolatedgatedriverICwithadjustableDESATandsoft-off Features ?600V,650V,900V,and1200VIGBTs,SiCandSiMOSFETs ?40Vabsolutemaximumoutputsupplyvoltage ?±3A,±6A,and±9Atypicalsinkingandsourcingpeakoutputcurrent ?SeparatesourceandsinkoutputsforhardswitchingandwithactiveMillerclamp/clampdriver ?Adjustme | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS??Small-Signal-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
調(diào)頻 （FM）_前置放大 （V）_混頻 （M）
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
- 最大電流允許值：
- 最大工作頻率：
500MHZ
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號(hào)：
BF241,BF255,BF455,BF495,BF595,3DG110B,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
NO
- vtest：
0
- htest：
500000000
- atest：
0
- wtest：
0
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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16+ |
原廠封裝 |
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