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BF257

HIGH VOLTAGE VIDEO AMPLIFIERS

DESCRIPTION TheBF257,BF258andBF259aresiliconplanarepitaxialNPNtransistorsinJedecTO-39metalcase.TheyareparticularlydesignedforvideooutputstagesinCTVandMTVsets,classAaudiooutputstagesanddriversforhorizontaldeflectioncircuits.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

BF257

NPN HIGH VOLTAGE VIDEO AMPLIFIER

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

BF257

Small Signal Transistors

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

BF257

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO39MetalPackage. BipolarNPNDevice. VCEO=160V IC=0.1A

SEME-LAB

Seme LAB

BF257

NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

NPNSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTORS INTENDEDFORVIDEOOUTPUTSTAGESINBLACKANDWHITEANDINCOLOUR TELEVISIONREVEIVERS.

CDIL

Continental Device India Limited

BF257

HIGH VOLTAGE VIDEO AMPLIFIERS

DESCRIPTION TheBF257,BF258andBF259aresiliconplanarepitaxialNPNtransistorsinJedecTO-39metalcase.TheyareparticularlydesignedforvideooutputstagesinCTVandMTVsets,classAaudiooutputstagesanddriversforhorizontaldeflectioncircuits.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BF257CSM

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedLCC1CeramicSurfaceMountPackageforHighReliabilityApplications BipolarNPNDevice. VCEO=160V IC=0.1A

SEME-LAB

Seme LAB

BF257DCSM

Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed

DualBipolarNPNDevicesinahermeticallysealedLCC2CeramicSurfaceMountPackageforHighReliabilityApplications DualBipolarNPNDevices. VCEO=160V IC=0.1A

SEME-LAB

Seme LAB

BF257CSM4

SILICON PLANAR NPN HIGH

SEME-LAB

Seme LAB

BVND-M257GT

EinteiligeUniversalarmaturgerade,metrischOne-pieceUniversalConnectionstraight,metric

ABBabb

ABB集團ABB(中國)有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    BF257

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    視頻輸出 (Vid)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    160V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    90MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BF336,BF657,BF658,BF659,2N5058,2N5059,3DG180D,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    C-40

  • vtest:

    160

  • htest:

    90000000

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.8

詳細參數(shù)

  • 型號:

    BF257

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多BF257供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 16:30:00