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NPNSiliconRFTransistor(ForhighgainlownoiseamplifiersForoscillatorsupto10GHz) NPNSiliconRFTransistor ?Forhighgainlownoiseamplifiers ?Foroscillatorsupto10GHz ?NoisefigureF=1.05dBat1.8GHzoutstandingGms=20dBat1.8GHz ?TransitionfrequencyfT=25GHz ?Goldmetalizationforhighreliability ?SIEGET?25-Line SiemensGroundedEmitter | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forhighgainandlownoiseamplifiers ?MinimumnoisefigureNFmin=1.1dBat1.8GHzOutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Foroscillatorsupto10GHz ?TransitionfrequencyfT=25GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisib | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconRFTransistor ProductBrief TheBFP420FisalownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.5VandcurrentsuptoIC=60mA.Thedeviceisespeciallysuitedformobileapplicationsinwhichlowpowerconsumptionisakeyrequirement.Thetypicaltransition | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?HighPowerGain ?HighCurrentGainBandwidthProduct ?LowNoiseFigure ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?DesignedforuseinRFwidebandamplifiersandoscillators. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
NPNhigh-voltagetransistor DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplement:BFV421. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Highvoltage(max.100V). APPLICATIONS ?Primarilyintendedforvideoapplications(monitors). | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質：
視頻輸出 （Vid）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
300V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BF420A,
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
A-20
- vtest：
300
- htest：
999900
- atest：
0.5
- wtest：
0.625
詳細參數(shù)
- 型號：
BF420L
- 功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS |
24+ |
TO-92 |
38000 |
詢價 | |||
PH |
24+ |
原廠封裝 |
1262 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
PHLIPS |
24+ |
TO-92 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
PHI |
2023+ |
80000 |
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
原廠封裝 |
5177 |
現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
PHI |
23+ |
原廠正規(guī)渠道 |
5000 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
PHI |
23+ |
原廠正規(guī)渠道 |
5000 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ONSEMICONDUC |
24+ |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | |||
TELEFUNKE |
23+ |
NA |
30486 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
23+ |
to-92 |
32687 |
原廠授權代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳 |
詢價 |
