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BFP420	文件：50.27 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconRFTransistor(ForhighgainlownoiseamplifiersForoscillatorsupto10GHz) NPNSiliconRFTransistor ?Forhighgainlownoiseamplifiers ?Foroscillatorsupto10GHz ?NoisefigureF=1.05dBat1.8GHzoutstandingGms=20dBat1.8GHz ?TransitionfrequencyfT=25GHz ?Goldmetalizationforhighreliability ?SIEGET?25-Line SiemensGroundedEmitter	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BFP420	文件：74.44 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forhighgainandlownoiseamplifiers ?MinimumnoisefigureNFmin=1.1dBat1.8GHzOutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Foroscillatorsupto10GHz ?TransitionfrequencyfT=25GHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisib	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP420	文件：567.85 Kbytes Page：9 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP420F	文件：49.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor ProductBrief TheBFP420FisalownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.5VandcurrentsuptoIC=60mA.Thedeviceisespeciallysuitedformobileapplicationsinwhichlowpowerconsumptionisakeyrequirement.Thetypicaltransition	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP420F	文件：63.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP420F	文件：1.54555 Mbytes Page：30 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP420W	文件：245.03 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?HighPowerGain ?HighCurrentGainBandwidthProduct ?LowNoiseFigure ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?DesignedforuseinRFwidebandamplifiersandoscillators.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFV420	文件：41.86 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistor DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.PNPcomplement:BFV421. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Highvoltage(max.100V). APPLICATIONS ?Primarilyintendedforvideoapplications(monitors).	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFY420	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY420	文件：145.91 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY420ES	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY420H	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY420P	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY420S	文件：406.72 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?ForHighGainLowNoiseAmplifiers ?ForOscillatorsupto10GHz ?NoiseFigureF=1.1dBat1.8GHz OutstandingGms=21dBat1.8GHz ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?TransitionFrequencyfT=22G	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGA420	文件：38.08 Kbytes Page：6 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie(Cascadable50廓-gainblockUnconditionallystable) Si-MMIC-AmplifierinSIEGET?25-Technologie Preliminarydata ?Cascadable50?-gainblock ?Unconditionallystable ?Gain\|S21\|2=13dBat1.8GHzIP3out=+9dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=typ.6.4mA) ?NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz ?Reverseisolation>28dBandreturnlossIN/O	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BGA420	文件：139.2 Kbytes Page：6 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie Si-MMIC-AmplifierinSIEGET?25-Technologie ?Cascadable50?-gainblock ?Unconditionallystable ?Gain\|S21\|2=13dBat1.8GHzIP3out=+13dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=typ.6.7mA) ?NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz ?Reverseisolation>28dBandreturnlossIN/OUT>12dBat1.8	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGA420	文件：166.12 Kbytes Page：8 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGB420	文件：477.63 Kbytes Page：10 Pages	ActiveBiasedTransistor Description SIEGET?-25NPNTransistorwithintegratedbiasingforhighgainlownoisefigureapplications.ICcanbecontrolledusingIBiasaccordingtoIC=10*IBias. Features ?Forhighgainlownoiseamplifiers ?Idealforwidebandapplications,cellulartelephones, cordlesstelephones,	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGC420	文件：101.49 Kbytes Page：11 Pages	Self-BiasedBFP420	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGR420	文件：316.38 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistorWithBiasCircuitry Features ?NoisefigureNF=1.5dBat0.4GHz ?GainS21=26dBat0.4GHz ?Onchipbiascircuitry,13mAbiascurrentatVCC=3.6V; VBB=2.8V ?SIEGET?25GHzfT-Line ?Pb-free(RoHScompliant)package *Shorttermdescription Applications ?LNAs	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BF420S
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-92VAR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多BF420S供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 17:00:00

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