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PNP medium frequency transistor DESCRIPTION PNPmediumfrequencytransistorinaSOT23plasticpackage. FEATURES ?Lowcurrent(max.25mA) ?Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS ?Mediumfrequencyapplicationsinthickandthinfilmcircuits. | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
PNP Medium Frequency Transistor Features ●Lowcurrent(max.25mA). ●Lowvoltage(max.40V). | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
Marking：LA；Package：SOT23；nullPNP medium frequency transistor FEATURES ?Lowcurrent(max.25mA) ?Lowvoltage(max.40V). | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 | NEXPERIA | ||
NPN Silicon RF Transistor (For general small-signal RF applications up to 300 MHz in amplifier, mixer and oscillator circuits) NPNSiliconRFTransistor ●Forgeneralsmall-signalRFapplicationsupto300MHzinamplifier,mixerandoscillatorcircuits | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled | Diotec Diotec Semiconductor | Diotec | ||
N-channel silicon junction field-effect transistors DESCRIPTION N-channelsymmetricalsiliconjunctionfield-effecttransistorsinaSOT23package. FEATURES ?Lowleakagelevel(typ.500fA) ?Highgain ?Lowcut-offvoltage. APPLICATIONS ?Impedanceconvertersine.g.electretmicrophonesand infra-reddetectors ?VHFamplifiersinos | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
N-channel silicon junction field-effect transistors DESCRIPTION N-channelsymmetricalsiliconjunctionfield-effecttransistorsinaSOT23package. FEATURES ?Lowleakagelevel(typ.500fA) ?Highgain ?Lowcut-offvoltage. APPLICATIONS ?Impedanceconvertersine.g.electretmicrophonesand infra-reddetectors ?VHFamplifiersinos | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
N-channel silicon junction field-effect transistors DESCRIPTION N-channelsymmetricalsiliconjunctionfield-effecttransistorsinaSOT23package. FEATURES ?Lowleakagelevel(typ.500fA) ?Highgain ?Lowcut-offvoltage. APPLICATIONS ?Impedanceconvertersine.g.electretmicrophonesand infra-reddetectors ?VHFamplifiersinos | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
甚高頻 （VHF）_前置放大 （V）_混頻 （M）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
- 最大電流允許值：
- 最大工作頻率：
400MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BF324,BF414,BF450,BF451,BF506,BF509,BF914,3CG122C,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
C-62
- vtest：
0
- htest：
400000000
- atest：
0
- wtest：
0
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
BF5
- 制造商：
OMRON Industrial Automation
- 功能描述：
ELECTRODE HOLDER 5POLE STURDY
- 制造商：
Omron Corporation
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
SOT6.M |
3629 |
原裝優(yōu)勢!房間現(xiàn)貨!歡迎來電! |
詢價(jià) | |||
PHILIPS |
23+ |
原廠封裝 |
12300 |
詢價(jià) | |||
Infineon |
24+ |
2645 |
100%全新原裝公司現(xiàn)貨供應(yīng)!隨時(shí)可發(fā)貨 |
詢價(jià) | |||
23+ |
SMD |
3000 |
全新原裝深圳現(xiàn)貨庫存,特價(jià)· |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
23+ |
SOT23 |
5500 |
現(xiàn)貨,全新原裝 |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
24+/25+ |
2990 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
FTS |
2016+ |
SOT23-6 |
6000 |
全新原裝現(xiàn)貨,量大價(jià)優(yōu),公司可售樣! |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
08+ |
SO-23 |
2124 |
詢價(jià) | |||
PHI |
24+ |
TO-202 |
5000 |
詢價(jià) | |||
PHI |
2020+ |
SOT23-3 |
4000 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) |
