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BF998E6327HTSA1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 INFINEON/英飛凌

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原廠料號(hào)：BF998E6327HTSA1品牌：Infineon/英飛凌

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BF998E6327HTSA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商Infineon/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝SOT-143/TO-253-4，TO-253AA的BF998E6327HTSA1晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    BF998E6327HTSA1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-143 T/R

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BF998E6327HTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    N 通道

  • 頻率：

    45MHz

  • 增益：

    28dB

  • 額定電流（安培）：

    30mA

  • 噪聲系數(shù)：

    2.8dB

  • 封裝/外殼：

    TO-253-4，TO-253AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-SOT-143-3D

  • 描述：

    MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市河鋒鑫科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊佳河

  • 手機(jī)：

    13652326683

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13652326683

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1078號(hào)現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

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