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SiliconNPNPlanarRFTransistor | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiers atcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Lownoisefigure ·Highpowergain | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?fT=8GHzF=1.2dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
NPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor) Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz,F=2.4dBat2GHz ?eesaqualified ?ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006 | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.4dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec. | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.4dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec. | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）_超高頻/特高頻 （UHF）_寬頻帶
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
20V
- 最大電流允許值：
0.035A
- 最大工作頻率：
8GHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
H-17
- vtest：
20
- htest：
8000000000
- atest：
0.035
- wtest：
0
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS |
23+ |
SOT-143 |
31000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT-143 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單! |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
SOT-143 |
8000 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
SOT-143 |
50000 |
原裝正品 支持實單 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
SOT-143 |
8000 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
SOT-143 |
7000 |
詢價 | |||
INFINEON |
23+ |
SOT-143 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT-143 |
1077958 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳 |
詢價 | ||
NXP |
21+ |
標準封裝 |
150000 |
進口原裝,訂貨渠道! |
詢價 | ||
PHILIPS/飛利浦 |
2022+ |
1900 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 |
