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BFG193	文件：48.45 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BFG193	文件：59.73 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFG193	文件：73.92 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BFG193	文件：185.15 Kbytes Page：5 Pages	LowNoiseFigure DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFG193	文件：62.15 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193	文件：60.24 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BFP193	文件：78.73 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193	文件：78.91 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193	文件：549.81 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193T	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFP193T	文件：260.82 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFP193TRW	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFP193TRW	文件：260.82 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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BFP193TW	文件：260.82 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFP193W	文件：59.92 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BFP193W	文件：75.36 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,F=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193W	文件：82.86 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP193W	文件：537.35 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFQ193	文件：28.06 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=7.5GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS

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晶體管資料

型號(hào)：
BFE193
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_超高頻/特高頻（UHF）_寬頻帶
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
20V
最大電流允許值：
0.08A
最大工作頻率：
8GHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
H-17
vtest：
20
htest：
8000000000
atest：
0.08
wtest：
0

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市博浩通科技有限公司	BFE193	PHILIPS	23+	SOT-143	31000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	BFE193	INFINEON	23+	SOT-143	63000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	BFE193	INFINEO	2023+	SMD	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司	BFE193	INFINEON/英飛凌	22+	SOT-143	9600	原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BFE193	NXP/恩智浦	23+	SOT-143	1077958	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋?kù)存,詳	詢價(jià)
深圳市鼎欣微電子有限公司	BFE193	NEXPERIA/安世	23+		12000		詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	BFE193	INFINEON	23+	SOT-143	8000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市潤(rùn)聯(lián)芯城科技有限公司	BFE193	INFINEON/英飛凌	23+	SOT-143	50000	原裝正品支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	BFE193	INFINEON	23+	SOT-143	8000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科芯源微電子有限公司	BFE193	NXP/恩智浦	23+	SOT-143	54258	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!	詢價(jià)

更多BFE193供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 14:02:00

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