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BFG10分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG10
廠商型號

BFG10
參數(shù)屬性

BFG10 封裝/外殼為TO-253-4，TO-253AA；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B
功能描述

NPN 2 GHz RF power transistor
絲印標識

-MS
封裝外殼

SOT-143 / TO-253-4，TO-253AA
文件大小

257.56 Kbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp【恩智浦】

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-13 0:45:00

BFG10規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in plastic, 4-pin dual-emitter SOT143 package.

FEATURES

? High power gain

? High efficiency

? Small size discrete power amplifier

? 1.9 GHz operating area

? Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

? Common emitter class-AB operation in hand-held radio equipment at 1.9 GHz.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BFG10/X,215

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    8V

  • 頻率 - 躍遷：

    1.9GHz

  • 增益：

    7dB

  • 功率 - 最大值：

    400mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    25 @ 50mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    250mA

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-253-4，TO-253AA

  • 供應商器件封裝：

    SOT-143B

  • 描述：

    RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
PHILIPS
04+
SOT-143
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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23+
SOT-343
7750
全新原裝優(yōu)勢
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PHILIPS
21+
SOT-143
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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