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BFG135A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG135A
廠商型號

BFG135A

參數(shù)屬性

BFG135A 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4

功能描述

NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications)

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

49.64 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-11 20:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    BFG135A(A)

  • 別名:

    BFG135A三極管、BFG135A晶體管、BFG135A晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    超高頻/特高頻 (UHF)_微波 (MW)

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    15V

  • 最大電流允許值:

    0.15A

  • 最大工作頻率:

    5.9GHZ

  • 引腳數(shù):

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    NO

  • vtest:

    15

  • htest:

    5900000000

  • atest:

    0.15

  • wtest:

    1

BFG135A規(guī)格書詳情

NPN Silicon RF Transistor

? For low-distortion broadband amplifier

stages in antenna and telecommunication

systems up to 2 GHz at collector currents from

70 mA to 130 mA

? Power amplifiers for DECT and PCN systems

? Integrated emitter ballast resistor

? fT = 6 GHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BFG135AE6327XT

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 頻率 - 躍遷:

    6GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    9dB ~ 14dB

  • 功率 - 最大值:

    1W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 100mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT223-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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