BFG325W分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BFG325W |
參數(shù)屬性 | BFG325W 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4 |
功能描述 | NPN 14 GHz wideband transistor |
文件大小 |
178.93 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導體公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-23 17:44:00 |
BFG325W規(guī)格書詳情
General description
NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.
Features
? High power gain
? Low noise figure
? High transition frequency
? Gold metallization ensures excellent reliability
Applications
? Intended for Radio Frequency (RF) front end applications in the GHz range, such as:
? analog and digital cellular telephones
? cordless telephones (Cordless Telephone (CT), Personal Communication
Network (PCN), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), etc.)
? radar detectors
? pagers
? Satellite Antenna TeleVision (SATV) tuners
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BFG325W/XR,115
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
6V
- 頻率 - 躍遷:
14GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
1.1dB @ 2GHz
- 增益:
18.3dB
- 功率 - 最大值:
210mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 15mA,3V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
35mA
- 工作溫度:
175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SC-82A,SOT-343
- 供應(yīng)商器件封裝:
CMPAK-4
- 描述:
RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT-343 |
100586 |
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NXP |
2016+ |
SOT343-4P |
6523 |
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PHL |
23+ |
SOT-343 |
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NEXPERIA |
23+ |
SOT343 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
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PHILIPS/飛利浦 |
2022 |
SOT343 |
80000 |
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PHILIPS |
21+ |
SOT343 |
9040 |
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NXP/恩智浦 |
22+ |
SOT-343 |
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SOT-343 |
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NA |
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NXP |
22+23+ |
SOT-343 |
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