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BFG325W分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG325W
廠商型號

BFG325W

參數(shù)屬性

BFG325W 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4

功能描述

NPN 14 GHz wideband transistor

文件大小

178.93 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-23 17:44:00

BFG325W規(guī)格書詳情

General description

NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.

Features

? High power gain

? Low noise figure

? High transition frequency

? Gold metallization ensures excellent reliability

Applications

? Intended for Radio Frequency (RF) front end applications in the GHz range, such as:

? analog and digital cellular telephones

? cordless telephones (Cordless Telephone (CT), Personal Communication

Network (PCN), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), etc.)

? radar detectors

? pagers

? Satellite Antenna TeleVision (SATV) tuners

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BFG325W/XR,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    6V

  • 頻率 - 躍遷:

    14GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.1dB @ 2GHz

  • 增益:

    18.3dB

  • 功率 - 最大值:

    210mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 15mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CMPAK-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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