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BFG520/X分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG520/X
廠商型號

BFG520/X
參數(shù)屬性

BFG520/X 封裝/外殼為TO-253-4，TO-253AA；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B
功能描述

NPN 9 GHz wideband transistor
封裝外殼

TO-253-4，TO-253AA
文件大小

316.04 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp【恩智浦】

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 16:19:00
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BFG520/X規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistors, intended for applications in the RF frontend in the GHz range,

such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones (CT1, CT2, DECT, etc.), radar detectors, pagers and satellite TV tuners (SATV) and repeater amplifiers in fibre-optic systems.

FEATURES

? High power gain

? Low noise figure

? High transition frequency

? Gold metallization ensures excellent reliability.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BFG520/X,235

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    15V

  • 頻率 - 躍遷：

    9GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

  • 功率 - 最大值：

    300mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 20mA，6V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    70mA

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-253-4，TO-253AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-143B

  • 描述：

    RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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