BFG540/XR分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BFG540/XR |
| 參數屬性 | BFG540/XR 封裝/外殼為SOT-143R；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產品描述：RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R |
| 功能描述 | RF Manual 16th edition |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | SOT-143R |
| 文件大小 |
9.37507 Mbytes |
| 頁面數量 |
130 頁 |
| 生產廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導體公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-13 11:23:00 |
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BFG540/XR規(guī)格書詳情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
產品屬性
- 產品編號：
BFG540/XR,215
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
15V
- 頻率 - 躍遷：
9GHz
- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：
1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
- 功率 - 最大值：
400mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 40mA，8V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
120mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SOT-143R
- 供應商器件封裝：
SOT-143R
- 描述：
RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143R
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
23+ |
SOT-143 |
8560 |
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詢價 | ||
NXP |
20+ |
SOT143 |
49000 |
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詢價 | ||
NXP |
24+ |
SOT-143R |
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NXP |
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NXP |
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NXP/恩智浦 |
24+ |
SOT-143 |
142 |
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PHILIPS/飛利浦 |
25+ |
NA |
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NXP |
23+ |
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SOT-4 |
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NXP/恩智浦 |
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