BFP 650F E6327_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極(BJT)-射頻-英飛凌

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原廠料號(hào):BFP 650F E6327品牌:Infineon Technologies

資料說明:RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP

BFP 650F E6327是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝4-SMD,扁平引線的BFP 650F E6327晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號(hào):

    bfp%20650f%20e6327

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明:

    RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFP 650F E6327

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    4.5V

  • 頻率 - 躍遷:

    42GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

  • 增益:

    11dB ~ 21.5dB

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    110 @ 80mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    4-TSFP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP

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