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BFP182W分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFP182W
廠商型號

BFP182W

參數屬性

BFP182W 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

功能描述

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

封裝外殼

SC-82A,SOT-343

文件大小

551.25 Kbytes

頁面數量

6

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-16 11:40:00

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BFP182W規(guī)格書詳情

BFP182W屬于分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產的BFP182W晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    BFP182WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    8GHz

  • 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):

    0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    22dB

  • 功率 - 最大值:

    250mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 10mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應商器件封裝:

    PG-SOT343-3D

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INF
24+
NA/
66250
原裝現貨,當天可交貨,原型號開票
詢價
INFINEON
25+
SOT-343
27000
原裝正品,假一罰十!
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Infineon/英飛凌
21+
PG-SOT343-4
6820
只做原裝,質量保證
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INFINEON
2022+
SOT-343
57550
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INFINEON
25+
SOT143
9000
原廠原裝,價格優(yōu)勢
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Infineon/英飛凌
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PG-SOT343-4
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Infineon/英飛凌
23+
PG-SOT343-4
10000
原裝正品,支持實單
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INF
05+
原廠原裝
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Infineon/英飛凌
24+
PG-SOT343-4
25000
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INFINEON/英飛凌
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386000
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