首頁 >BFR10>規(guī)格書列表

零件編號下載&訂購功能描述制造商&上傳企業(yè)LOGO

BFR10

Medium Power Amplifiers and Switches

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

BFR106

NPN 5 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT23envelope.Itisprimarilyintendedforlownoise,generalRFapplications.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BFR106

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers For linear broadband amplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiers ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Specialapplication:antennaamplifiers ?Complementarytype:BFR194(PNP)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFR106

NPN Silicon RF Transistor

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?HighlinearitylownoiseRFtransistor ?22dBmOP1dBand31dBmOIP3@900MHz,8V,70mA ?ForUHF/VHFapplications ?Driverformultistageamplifiers ?Forlinearbroadbandandantennaamplifiers ?Collectordesignsupports5Vsupplyvoltage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR106

Silicon NPN RF Transistor

DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

BFR106

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BFR106

Low Noise Figure

DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BFR106

NPN 5 GHz wideband transistor

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BFR106

NPN Silicon RF Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR106

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR106_10

NPN Silicon RF Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR106_13

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR106_15

NPN 5 GHz wideband transistor

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

BFR106_2015

NPN 5 GHz wideband transistor

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

BFR10SL3P1

包裝:袋 類別:連接器,互連器件 圓形連接器組件 描述:CIRCULAR

ITTCannon

ITT Cannon, LLC

BFR10SL3S1

包裝:袋 類別:連接器,互連器件 圓形連接器組件 描述:CIRCULAR

ITTCannon

ITT Cannon, LLC

BFR10SL4P1

包裝:袋 類別:連接器,互連器件 圓形連接器組件 描述:CIRCULAR

ITTCannon

ITT Cannon, LLC

晶體管資料

  • 型號:

    BFR10

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    射頻/高頻放大 (HF)_開關(guān)管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    75V

  • 最大電流允許值:

    0.5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BFX96,BFX96A,BFX97A,BSS27,BSW53,BSX59,2N2218A,2N2219A,3DG130D,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    C-40

  • vtest:

    75

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.5

  • wtest:

    0.8

詳細參數(shù)

  • 型號:

    BFR10

  • 功能描述:

    Medium Power Amplifiers and Switches

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MOT
24+
CAN3
450000
詢價
PHILIPS
16+
CAN3
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價
MOT/ST/PH
2339+
CAN3
21322
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存!
詢價
PHILIPS
專業(yè)鐵帽
CAN3
10000
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨
詢價
PHILIPS/飛利浦
專業(yè)鐵帽
CAN3
67500
鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票
詢價
24+
CAN
6430
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢
詢價
PH/ST/MOT
2023+
CAN
50000
全新原裝現(xiàn)貨
詢價
PHI
05+
原廠原裝
464
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
詢價
PHILIPS
2000+
6000
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
詢價
INF
17+
SOT-23
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
詢價
更多BFR10供應商 更新時間2025-1-8 16:30:00