零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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BFR10 | Medium Power Amplifiers and Switches | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商 | ETC1 | |
NPN 5 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT23envelope.Itisprimarilyintendedforlownoise,generalRFapplications. | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers For linear broadband amplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiers ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Specialapplication:antennaamplifiers ?Complementarytype:BFR194(PNP) | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
NPN Silicon RF Transistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?HighlinearitylownoiseRFtransistor ?22dBmOP1dBand31dBmOIP3@900MHz,8V,70mA ?ForUHF/VHFapplications ?Driverformultistageamplifiers ?Forlinearbroadbandandantennaamplifiers ?Collectordesignsupports5Vsupplyvoltage | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers. | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司 | nxp | ||
Low Noise Figure DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
NPN 5 GHz wideband transistor | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
NPN Silicon RF Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPN Silicon RF Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPN 5 GHz wideband transistor | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司 | JMNIC | ||
NPN 5 GHz wideband transistor | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司 | JMNIC | ||
包裝:袋 類別:連接器,互連器件 圓形連接器組件 描述:CIRCULAR | ITTCannon ITT Cannon, LLC | ITTCannon | ||
包裝:袋 類別:連接器,互連器件 圓形連接器組件 描述:CIRCULAR | ITTCannon ITT Cannon, LLC | ITTCannon | ||
包裝:袋 類別:連接器,互連器件 圓形連接器組件 描述:CIRCULAR | ITTCannon ITT Cannon, LLC | ITTCannon |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
射頻/高頻放大 (HF)_開關(guān)管 (S)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
75V
- 最大電流允許值:
0.5A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號:
BFX96,BFX96A,BFX97A,BSS27,BSW53,BSX59,2N2218A,2N2219A,3DG130D,
- 最大耗散功率:
0.8W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
C-40
- vtest:
75
- htest:
999900
- atest:
0.5
- wtest:
0.8
詳細參數(shù)
- 型號:
BFR10
- 功能描述:
Medium Power Amplifiers and Switches
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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MOT |
24+ |
CAN3 |
450000 |
詢價 | |||
PHILIPS |
16+ |
CAN3 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
MOT/ST/PH |
2339+ |
CAN3 |
21322 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強勢庫存! |
詢價 | ||
PHILIPS |
專業(yè)鐵帽 |
CAN3 |
10000 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價 | ||
PHILIPS/飛利浦 |
專業(yè)鐵帽 |
CAN3 |
67500 |
鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
24+ |
CAN |
6430 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 | |||
PH/ST/MOT |
2023+ |
CAN |
50000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
PHI |
05+ |
原廠原裝 |
464 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應 |
詢價 | ||
PHILIPS |
2000+ |
6000 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
INF |
17+ |
SOT-23 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 |