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BFR182T	文件：70.17 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR182T	文件：68.31 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ???Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFR182T	文件：203.07 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFR182TF	文件：82.5 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages.Inadditiontos	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFR182TW	文件：68.31 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ???Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFR182TW	文件：203.07 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
BFR182TW	文件：564.27 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiers atcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Lownoisefigure ·Highpowergain	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFR182W	文件：79.15 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR182W	文件：55.83 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?fT=8GHzF=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFR182W	文件：517.63 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR182W	文件：672.28 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY182	文件：121.88 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor) Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz,F=2.4dBat2GHz ?eesaqualified ?ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFY182	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.4dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY182	文件：148.58 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY182ES	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.4dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY182H	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.4dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY182P	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.4dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY182S	文件：29.17 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz F=2.4dBat2GHz ?eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BH182	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亞當(dāng)科技亞當(dāng)科技股份有限公司	ADAM-TECH
BLF182XR	文件：1.32235 Mbytes Page：15 Pages	PowerLDMOStransistor Generaldescription A250WextremelyruggedLDMOSpowertransistorforbroadcastandindustrial applicationsintheHFto600MHzband. Featuresandbenefits ?Easypowercontrol ?IntegrateddoublesidedESDprotection ?Excellentruggedness ?Highefficiency ?Excellentthermalstabilit	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	BFR182/T/W	INFINEON	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	BFR182/T/W	INFINEON	23+		7000		詢價
深圳市易訊博科技有限公司	BFR182B6663	Infineon	22+	NA	2118	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價
深圳市億智騰科技有限公司	BFR182B6663	Infineon Technologies	24+	原裝	5000	原裝正品,提供BOM配單服務(wù)	詢價
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