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BFR182分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFR182
廠商型號(hào)

BFR182
參數(shù)屬性

BFR182 封裝/外殼為SC-70，SOT-323；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
功能描述

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1mA to 20mA)
封裝外殼

SC-70，SOT-323
文件大小

71.53 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SIEMENS【西門子】

中文名稱

德國(guó)西門子股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-6 9:01:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BFR182

  • 別名：

    BFR182三極管、BFR182晶體管、BFR182晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_超高頻/特高頻 （UHF）_寬頻帶

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    20V

  • 最大電流允許值：

    0.035A

  • 最大工作頻率：

    8GHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    2SC3585,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-15

  • vtest：

    20

  • htest：

    8000000000

  • atest：

    0.035

  • wtest：

    0

BFR182規(guī)格書詳情

NPN Silicon RF Transistor

? For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1mA to 20mA

? fT = 8GHz

F = 1.2dB at 900MHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BFR182WH6327XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益：

    19dB

  • 功率 - 最大值：

    250mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    70 @ 10mA，8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    35mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-SOT323

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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