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BFR183W	文件：56.33 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2 mA to 30mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BFR183W	文件：79.84 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183W	文件：140.84 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183W	文件：672.73 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183W	文件：287.01 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFR183W_07	文件：140.84 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183W_14	文件：672.73 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFR183WH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：SC-70，SOT-323 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY183	文件：42.6 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY183	文件：149.46 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY183	文件：122.83 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor) Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz,F=2.3dBat2GHz ?eesaqualified ?ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BFY183ES	文件：42.6 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY183H	文件：42.6 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY183P	文件：42.6 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFY183S	文件：42.6 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BH183	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亞當(dāng)科技亞當(dāng)科技股份有限公司	ADAM-TECH
BLF183XR	文件：1.14574 Mbytes Page：15 Pages	PowerLDMOStransistor Generaldescription A350WextremelyruggedLDMOSpowertransistorforbroadcastandindustrial applicationsintheHFto600MHzband. Featuresandbenefits ?Easypowercontrol ?IntegratedESDprotection ?Excellentruggedness ?Highefficiency ?Excellentthermalstability ?Designed	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BLF183XRS	文件：1.14574 Mbytes Page：15 Pages	PowerLDMOStransistor Generaldescription A350WextremelyruggedLDMOSpowertransistorforbroadcastandindustrial applicationsintheHFto600MHzband. Featuresandbenefits ?Easypowercontrol ?IntegratedESDprotection ?Excellentruggedness ?Highefficiency ?Excellentthermalstability ?Designed	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BMP183	文件：743.68 Kbytes Page：28 Pages	Digitalpressuresensor	boschBosch Sensortec GmbH 博世博世半導(dǎo)體	bosch
BTP-183XXCQ-XX-XX	文件：187.4 Kbytes Page：4 Pages	BriLux1WLightSource	DBLECTRODB Lectro Inc 迪貝電子	DBLECTRO

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晶體管資料

型號(hào)：
BFR183W
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_超高頻/特高頻（UHF）_寬頻帶
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
20V
最大電流允許值：
0.065A
最大工作頻率：
8GHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
2SC4593,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
H-15
vtest：
20
htest：
8000000000
atest：
0.065
wtest：
0

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BFR183W
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
RF TRANSISTOR SOT-323
功能描述：
RF TRANSISTOR, SOT-323
功能描述：
RF TRANSISTOR, SOT-323; Power Dissipation
Pd：
450mW; Operating Temperature
Min：
-65C; Operating Temperature
Max：
150C; RF Transistor
Case：
SOT-323; No. of
Pins：
3; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
12V; DC Collector
Current：
65mA ;RoHS
Compliant：
Yes

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BFR183W	Infineon(英飛凌)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	7648	原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開(kāi)票。	詢價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	BFR183W	Infineon/英飛凌	24+	SOT323	163000	一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理	詢價(jià)
深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司	BFR183W	lnfineon	24+	SOT-323	16800	絕對(duì)原裝現(xiàn)貨,價(jià)格低,歡迎詢購(gòu)!	詢價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	BFR183W	INFINEON	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
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更多BFR183W供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 15:56:00

晶體管資料

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