BFR30LT1G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-JFET-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):BFR30LT1G品牌:onsemi

資料說(shuō)明:JFET N-CH 225MW SOT23

BFR30LT1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET。制造商O(píng)NSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-236-3,SC-59,SOT-23-3的BFR30LT1G晶體管 - JFET結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開(kāi)關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢(shì)差就會(huì)增加電流流動(dòng)的阻力,這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動(dòng)的電流會(huì)更少。由于電荷流過(guò)源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道,因此 JFET 不需要偏置電流。

  • 芯片型號(hào):

    bfr30lt1g

  • 規(guī)格書(shū):

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng):

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明:

    JFET N-CH 225MW SOT23

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFR30LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET

  • 包裝:

    散裝

  • FET 類(lèi)型:

    N 通道

  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):

    5pF @ 10V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    JFET N-CH 225MW SOT23

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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