BFR740L3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
BFR740L3 |
參數(shù)屬性 | BFR740L3 封裝/外殼為SC-101,SOT-883;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3 |
功能描述 | NPN Silicon Germanium RF Transistor |
封裝外殼 | SC-101,SOT-883 |
文件大小 |
137.09 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱(chēng) | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-12 9:38:00 |
人工找貨 | BFR740L3價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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BFR740L3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BFR740L3晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
NPN Silicon Germanium RF Transistor
? High gain ultra low noise RF transistor
? Provides outstanding performance for
a wide range of wireless applications
up to 10 GHz and more
? Ideal for CDMA and WLAN applications
? Outstanding noise figure F = 0.5 dB at 1.8 GHz
Outstanding noise figure F = 0.8 dB at 6 GHz
? High maximum stable gain
Gms = 24 dB at 1.8 GHz
? Gold metallization for extra high reliability
? 150 GHz fT-Silicon Germanium technology
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
BFR740L3RHE6327XTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類(lèi)型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
4.7V
- 頻率 - 躍遷:
42GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):
0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
- 增益:
24.5dB
- 功率 - 最大值:
160mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
160 @ 25mA,3V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
30mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SC-101,SOT-883
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TSLP-3
- 描述:
RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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