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BFR840L3RHESD

Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR840L3RHESDE6327XTSA1

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    BFR840L3RHESD

  • 功能描述:

    射頻雙極電源晶體管 RF BIP TRANSISTORS

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作頻率:

    30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    4 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封裝/箱體:

    Case 211-11

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BFR840L3RHESD供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 16:55:00