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BFS17P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFS17P
廠商型號(hào)

BFS17P

參數(shù)屬性

BFS17P 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN SOT23-3

功能描述

NPN Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA)

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

48.38 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國(guó)西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-15 12:06:00

BFS17P規(guī)格書詳情

NPN Silicon RF Transistor

? For broadband amplifiers up to 1GHz at collector

currents from 1mA to 20mA

? CECC-type available: CECC 50002/248.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFS17PE6752HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 頻率 - 躍遷:

    1.4GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    3.5dB @ 800MHz

  • 功率 - 最大值:

    280mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 2mA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    25mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT23

  • 描述:

    RF TRANS NPN SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
英飛凌 | Infineon
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