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BFT25分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BFT25
廠商型號(hào)

BFT25

參數(shù)屬性

BFT25 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 5V 5GHZ TO236AB

功能描述

NPN 2 GHz wideband transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

60.99 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-10 22:30:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    BFT25

  • 別名:

    BFT25三極管、BFT25晶體管、BFT25晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_超高頻/特高頻 (UHF)_寬頻帶

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    8V

  • 最大電流允許值:

    0.065A

  • 最大工作頻率:

    2.3GHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BFQ29,BFR35,BFR53,BFR92,BFR93,CG39B,2SC3099,

  • 最大耗散功率:

    0.03W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    H-15

  • vtest:

    8

  • htest:

    2300000000

  • atest:

    0.065

  • wtest:

    0.03

BFT25規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

NPN transistor in a plastic SOT23 envelope.

It is primarily intended for use in RF low power amplifiers, such as in pocket phones, paging systems, etc. The transistor features low current consumption (100 μA to 1 mA); due to its high transition frequency, it also has excellent wideband properties and low noise up to high frequencies.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFT25A,215

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    5V

  • 頻率 - 躍遷:

    5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.8dB ~ 2dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值:

    32mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 500μA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    6.5mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23(TO-236AB)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 5GHZ TO236AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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