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BFU530W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFU530W
廠商型號

BFU530W
參數(shù)屬性

BFU530W 封裝/外殼為SC-70，SOT-323；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
功能描述

NPN Wideband Silicon RF Transistor
封裝外殼

SC-70，SOT-323
文件大小

200.33 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-5 17:10:00

BFU530W規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 12V(Min.)

· Low Noise, High Breakdown RF Transistor

APPLICATIONS

· Applications Requiring High Supply Voltages And High Breakdown Voltages

· Low Noise Amplifiers For ISM Applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BFU530WX

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    11GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    0.6dB @ 900MHz

  • 增益：

    18.5dB

  • 功率 - 最大值：

    450mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 10mA，8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    40mA

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SC-70

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEXPERIA
23+
SOT363
45453
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
NXP/恩智浦
24+
SOT323
7906200
一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系
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NXP(恩智浦)
23+
NA
6000
原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢
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NXP/恩智浦
21+
SOT-323-3
6000
原裝現(xiàn)貨
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NXP/恩智浦
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