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BFU660F,115_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-射頻-NXP USA Inc.

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原廠料號：BFU660F,115品牌：NXP USA Inc.

資料說明：RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP

BFU660F,115是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商NXP USA Inc.生產(chǎn)封裝SOT-343F的BFU660F,115晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    bfu660f,115

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說明：

    RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BFU660F,115

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    5.5V

  • 頻率 - 躍遷：

    21GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

  • 增益：

    12dB ~ 21dB

  • 功率 - 最大值：

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    90 @ 10mA，2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    60mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    4-DFP

  • 描述：

    RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP(恩智浦)
23+
SOT-343
3022
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NXP
22+
NA
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SOT-343F
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