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BFU660F分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFU660F
廠商型號

BFU660F

參數(shù)屬性

BFU660F 封裝/外殼為SOT-343F;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP

功能描述

RF Manual 16th edition

封裝外殼

SOT-343F

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-1 20:00:00

BFU660F規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BFU660F,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    5.5V

  • 頻率 - 躍遷:

    21GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

  • 增益:

    12dB ~ 21dB

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 10mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    60mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-343F

  • 供應商器件封裝:

    4-DFP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP(恩智浦)
23+
NA/
8735
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持!
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NXP/恩智浦
23+
SOT-343
54258
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23+
SOT343F
63000
原裝正品現(xiàn)貨
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NXP(恩智浦)
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NXP/恩智浦
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SOT343F
9000
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