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BFY193分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFY193
廠商型號(hào)

BFY193

參數(shù)屬性

BFY193 封裝/外殼為MICRO-X1;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

功能描述

HiRel NPN Silicon RF Transistor (HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain broadband amplifiers up to 2 GHz.)

封裝外殼

MICRO-X1

文件大小

122.94 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-8 20:53:00

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BFY193規(guī)格書詳情

Features

? HiRel Discrete and Microwave Semiconductor

? For low noise, high gain broadband amplifiers up to 2 GHz.

? For linear broadband amplifiers

? Hermetically sealed microwave package

? fT = 8 GHz, F = 2.3 dB at 2 GHz

? eesa qualified

? ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFY193PZZZA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    7.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz

  • 增益:

    12.5dB ~ 13.5dB

  • 功率 - 最大值:

    580mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 30mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    MICRO-X1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    MICRO-X1

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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