首頁>BG3130H6327XTSA1>詳情

BG3130H6327 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 INFINEON/英飛凌

BG3130H6327參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：BG3130H6327品牌：Infineon

進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)

BG3130H6327是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商Infineon/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝NA/6-VSSOP，SC-88，SOT-363的BG3130H6327晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    BG3130H6327

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    RF MOSFETS - Tape and Reel

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BG3130H6327XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    2 N-通道（雙）

  • 頻率：

    800MHz

  • 增益：

    24dB

  • 額定電流（安培）：

    25mA

  • 噪聲系數(shù)：

    1.3dB

  • 封裝/外殼：

    6-VSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-SOT363-PO

  • 描述：

    MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市達恩科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉小姐

  • 手機：

    13510619928

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23917962

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北新亞洲國利大廈1515

相近型號