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BGA711N7RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

BGA711N7
廠商型號

BGA711N7

參數(shù)屬性

BGA711N7 封裝/外殼為6-XFDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產品描述:IC RF AMP 1.8GHZ-2.7GHZ TSNP7-1

功能描述

SiGe Bipolar 3G/3.5G/4G Single-Band LNA
IC RF AMP 1.8GHZ-2.7GHZ TSNP7-1

封裝外殼

6-XFDFN 裸露焊盤

文件大小

1.43116 Mbytes

頁面數(shù)量

43

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-10 22:34:00

BGA711N7規(guī)格書詳情

BGA711N7屬于RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器。由英飛凌科技股份公司制造生產的BGA711N7射頻放大器在射頻應用中,射頻放大器產品可用于信號增益和緩沖。這些產品與通用運算放大器的不同之處在于,它們通常適用于更高的頻率,更傾向于提供不可調節(jié)的固定增益,并且輸入或輸出阻抗值符合常用傳輸線特性阻抗。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    BGA711N7E6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 頻率:

    1.8GHz ~ 2.7GHz

  • P1dB:

    -8dBm

  • 增益:

    17dB

  • 噪聲系數(shù):

    1.1dB

  • 電壓 - 供電:

    3.6V

  • 電流 - 供電:

    10mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-XFDFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝:

    PG-TSNP-7-1

  • 描述:

    IC RF AMP 1.8GHZ-2.7GHZ TSNP7-1

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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