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BGA7M1N6RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

BGA7M1N6
廠商型號

BGA7M1N6

參數(shù)屬性

BGA7M1N6 封裝/外殼為6-XFDFN;包裝為托盤;類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC AMP LTE 1.8GHZ-2.2GHZ TSNP6-2

功能描述

Silicon Germanium Low Noise Amplifier for LTE
IC AMP LTE 1.8GHZ-2.2GHZ TSNP6-2

封裝外殼

6-XFDFN

文件大小

1.32611 Mbytes

頁面數(shù)量

22

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-11 22:30:00

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BGA7M1N6規(guī)格書詳情

BGA7M1N6屬于RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BGA7M1N6射頻放大器在射頻應(yīng)用中,射頻放大器產(chǎn)品可用于信號增益和緩沖。這些產(chǎn)品與通用運(yùn)算放大器的不同之處在于,它們通常適用于更高的頻率,更傾向于提供不可調(diào)節(jié)的固定增益,并且輸入或輸出阻抗值符合常用傳輸線特性阻抗。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BGA7M1N6E6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    托盤

  • 頻率:

    1.8GHz ~ 2.2GHz

  • P1dB:

    -7dBm

  • 增益:

    13dB

  • 噪聲系數(shù):

    0.6dB

  • 射頻類型:

    LTE

  • 電壓 - 供電:

    1.5V ~ 3.3V

  • 電流 - 供電:

    4.4mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-XFDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TSNP-6-2

  • 描述:

    IC AMP LTE 1.8GHZ-2.2GHZ TSNP6-2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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