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BFP420E6327

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor ?Forhighgainlownoiseamplifiers ?Foroscillatorsupto10GHz ?NoisefigureF=1.1dBat1.8GHz outstandingGms=21dBat1.8GHz ?TransitionfrequencyfT=25GHz ?Goldmetallizationforhighreliability ?SIEGET?25GHzfT-Line ?Pb-free(RoHS

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BGA420E6327

Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie

Si-MMIC-AmplifierinSIEGET?25-Technologie ?Cascadable50?-gainblock ?Unconditionallystable ?Gain|S21|2=13dBat1.8GHzIP3out=+13dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=typ.6.7mA) ?NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz ?Reverseisolation>28dBandreturnlossIN/OUT>12dBat1.8

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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更多BGC420E6327供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-20 9:03:00

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