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FDN352AP

P-Channel30V(D-S)MOSFET

GeneralDescription Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageandbatterypowered applicationswherelowin-linepowerlossisneededina verysmalloutlinesurfacemountpackage. Features ■–1.3A,–30VRDS(ON)=180mΩ@VGS=–10V –1.1A,–30VRDS(ON)=300mΩ@VGS=–4.5V ■High

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

FDN352AP-HF

P-ChannelMOSFET

■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-1.3A(VGS=-10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

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更多BL352P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-23 14:06:00

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