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BLC10G18XS-602AVT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLC10G18XS-602AVT
廠商型號

BLC10G18XS-602AVT

參數(shù)屬性

BLC10G18XS-602AVT 封裝/外殼為SOT-1258-4;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/TRAYDP

功能描述

Power LDMOS transistor
BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/TRAYDP

封裝外殼

SOT-1258-4

文件大小

1.58513 Mbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-16 23:00:00

BLC10G18XS-602AVT規(guī)格書詳情

BLC10G18XS-602AVT屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLC10G18XS-602AVT晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

600 W LDMOS packaged asymmetric Doherty power transistor for base station

applications at frequencies from 1805 MHz to 1880 MHz.

Features and benefits

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Low thermal resistance providing excellent thermal stability

? Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications

? Designed for low memory effects providing excellent digital pre-distortion capability

? Internally matched for ease of use

? Integrated ESD protection

? For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website

Applications

? RF power amplifiers for base stations and multi carrier applications in the 1805 MHz to

1880 MHz frequency range

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLC10G18XS-602AVTZ

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    1.805GHz ~ 1.88GHz

  • 增益:

    16dB

  • 額定電流(安培):

    2.8μA

  • 功率 - 輸出:

    600W

  • 封裝/外殼:

    SOT-1258-4

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT1258-4

  • 描述:

    BLC10G18XS-602AVT/SOT1258/TRAYDP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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