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BLC10G19XS-551AV分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BLC10G19XS-551AV |
參數(shù)屬性 | BLC10G19XS-551AV 封裝/外殼為SOT-1258-5;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:BLC10G19XS-551AV/SOT1258/TRAYDP |
功能描述 | Power LDMOS transistor |
封裝外殼 | SOT-1258-5 |
文件大小 |
1.28005 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
企業(yè)簡稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-8 8:24:00 |
BLC10G19XS-551AV規(guī)格書詳情
BLC10G19XS-551AV屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLC10G19XS-551AV晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
550 W LDMOS packaged asymmetric Doherty power transistor for base station
applications at frequencies from 1930 MHz to 2000 MHz.
Features and benefits
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Low thermal resistance providing excellent thermal stability
? Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
? Designed for low memory effects providing excellent digital pre-distortion capability
? Internally matched for ease of use
? Integrated ESD protection
? For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website
Applications
? RF power amplifiers for base stations and multi carrier applications in the 1930 MHz to
2000 MHz frequency range
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BLC10G19XS-551AVZ
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
LDMOS(雙),共源
- 頻率:
1.93GHz ~ 2GHz
- 增益:
15dB
- 額定電流(安培):
2.8μA
- 功率 - 輸出:
550W
- 封裝/外殼:
SOT-1258-5
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT1258-5
- 描述:
BLC10G19XS-551AV/SOT1258/TRAYDP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Ampleon USA Inc. |
2022+ |
SOT1275-3 |
38550 |
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原裝Ampleon |
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