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BLC9H10XS-60P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
BLC9H10XS-60P |
| 參數(shù)屬性 | BLC9H10XS-60P 封裝/外殼為SOT-1273-1；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：BLC9H10XS-60P/SOT1273/TRAYDP |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 封裝外殼 | SOT-1273-1 |
| 文件大小 |
1.55818 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
14 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
| 中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-23 23:00:00 |
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更多BLC9H10XS-60P規(guī)格書詳情
BLC9H10XS-60P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLC9H10XS-60P晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
60 W LDMOS packaged symmetric power transistor for base station applications at
frequencies from 400 MHz to 1000 MHz.
Features and benefits
? Easy power control
? Integrated ESD protection
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Excellent thermal stability
? Designed for broadband operation (400 MHz to 1000 MHz)
? For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website
Applications
RF power amplifiers for base stations and multi carrier applications in the 400 MHz to
1000 MHz frequency range
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
BLC9H10XS-60PZ
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
400MHz ~ 1GHz
- 增益：
16.3dB
- 額定電流（安培）：
1.4μA
- 功率 - 輸出：
102W
- 封裝/外殼：
SOT-1273-1
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT1273-1
- 描述：
BLC9H10XS-60P/SOT1273/TRAYDP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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