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BLD6G21L-50分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLD6G21L-50
廠商型號

BLD6G21L-50

參數屬性

BLD6G21L-50 封裝/外殼為SOT-1130A;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A

功能描述

RF Manual 16th edition

封裝外殼

SOT-1130A

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數量

130

生產廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-21 17:37:00

BLD6G21L-50規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產品屬性

  • 產品編號:

    BLD6G21L-50,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    2.02GHz

  • 增益:

    14.5dB

  • 額定電流(安培):

    10.2A

  • 功率 - 輸出:

    8W

  • 封裝/外殼:

    SOT-1130A

  • 供應商器件封裝:

    CDFM4

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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