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BLD6G21LS-50,112

Package：SOT-1130B；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BLD6G21LS-50

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BLD6G21LS-50

TD-SCDMA2010MHzto2025MHzfullyintegratedDohertytransistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BLD6G21LS-50,112

  • 制造商：

    Ampleon USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    LDMOS（雙），共源

  • 頻率：

    2.02GHz

  • 增益：

    14.5dB

  • 額定電流（安培）：

    10.2A

  • 功率 - 輸出：

    8W

  • 封裝/外殼：

    SOT-1130B

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    CDFM4

  • 描述：

    RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多BLD6G21LS-50,112供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-6 10:08:00

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