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BLF1721M8LS200分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF1721M8LS200
廠商型號

BLF1721M8LS200

參數(shù)屬性

BLF1721M8LS200 封裝/外殼為SOT-502B;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B

功能描述

Power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B

文件大小

1.25014 Mbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-4 17:42:00

BLF1721M8LS200規(guī)格書詳情

BLF1721M8LS200屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLF1721M8LS200晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

200 W LDMOS power transistor for various applications such as Industrial, Scientific and

Medical (ISM) and industrial heating at frequencies from 1700 MHz to 2100 MHz.

Features and benefits

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Low thermal resistance providing excellent thermal stability

? Designed for broadband operation

? Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications

? Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability

? Internally matched for ease of use

? Integrated ESD protection

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? RF power amplifiers for pulsed and CW applications in the 1700 MHz to 2100 MHz

frequency range such as ISM and industrial heating

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLF1721M8LS200U

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.11GHz ~ 2.17GHz

  • 增益:

    19dB

  • 功率 - 輸出:

    55W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502B

  • 供應商器件封裝:

    SOT502B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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SOT121B
200
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